Intelから「3次元ゲート構造のトランジスタ製造技術を22nm世代の製造プロセス（ターゲットはIvy Bridge）から採用」*1と発表があり、ちょっと驚いた。ここまで進歩してきたのかと。
ただ、気になって調べてみると、NAND型フラッシュメモリ*2に関しても既に実用の段階に入り始めている。
ちなみにFPGAではTabula社（ベンチャー）が*3仮想的な「3次元格子構造(アーキテクチャ「Spacetime」)」といった違った観点で同等の効果を狙った製品を開発してきている。
今後半導体の比較に、何ナノといったプロセスルールだけでなく何層といった指標も入るようになってくるのかなぁ？
